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二維半導(dǎo)體工程化驗(yàn)證示范工藝線在滬啟動(dòng),計(jì)劃2029年量產(chǎn)首款芯片

澎湃新聞?dòng)浾?張靜
2025-06-16 09:26
來(lái)源:澎湃新聞
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摩爾定律逼近物理極限,具有單個(gè)原子層厚度的二維半導(dǎo)體是目前國(guó)際公認(rèn)的破局關(guān)鍵,業(yè)界探索如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路中。6月13日,原集微科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):原集微)宣布啟動(dòng)二維半導(dǎo)體工程化驗(yàn)證示范工藝線。原集微計(jì)劃2026年實(shí)現(xiàn)硅基28納米性能的二維半導(dǎo)體集成芯片,并實(shí)現(xiàn)和硅基材料的異質(zhì)集成,2029年全球量產(chǎn)首款基于二維材料的低功耗邊緣算力芯片。

原集微由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究院研究員包文中2025年創(chuàng)辦。集成電路進(jìn)入3nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn),傳統(tǒng)芯片制造技術(shù)面臨極大挑戰(zhàn)。當(dāng)傳統(tǒng)三維半導(dǎo)體材料的厚度減薄到5nm及以下時(shí),表面由于存在懸掛鍵,其造成的散射導(dǎo)致器件遷移率降低,閾值電壓難以精確調(diào)控,從而導(dǎo)致電流控制能力降低、工藝復(fù)雜度提升。

而二維半導(dǎo)體由于其天然的原子級(jí)厚度和表面無(wú)懸掛鍵的獨(dú)特屬性,電子能在原子厚度的平面內(nèi)無(wú)損輸運(yùn),并能被優(yōu)良調(diào)控,具有柵控能力強(qiáng)、功耗低、工藝簡(jiǎn)化等優(yōu)勢(shì),有利于晶體管的尺寸微縮。“晶體管就像水管,評(píng)價(jià)一個(gè)晶體管的好壞,就要看水管開(kāi)的時(shí)候水流非常大,關(guān)的時(shí)候一滴水都不能漏。”包文中表示,二維半導(dǎo)體表面光滑無(wú)缺陷,就像內(nèi)壁光滑的水管,能夠良好控制開(kāi)和關(guān)。同時(shí),二維半導(dǎo)體只有單個(gè)原子層厚度,厚度決定了未來(lái)先進(jìn)制程的器件性能。

二維半導(dǎo)體微處理器“無(wú)極”。

包文中2006年開(kāi)始從事二維材料的電子器件基礎(chǔ)和應(yīng)用研究,2015年在復(fù)旦大學(xué)搭建世界首條二維半導(dǎo)體專(zhuān)用試驗(yàn)線,推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料在工程實(shí)際應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)研究。今年4月,復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室周鵬、包文中聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功研制全球首款基于二維半導(dǎo)體材料的32位RISC-V架構(gòu)微處理器“無(wú)極”,該成果突破二維半導(dǎo)體電子學(xué)工程化瓶頸,首次實(shí)現(xiàn)5900個(gè)晶體管的集成度,相關(guān)成果發(fā)表于《自然》期刊。

聯(lián)合團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)AI驅(qū)動(dòng)的一貫式協(xié)同工藝優(yōu)化技術(shù),通過(guò)“原子級(jí)界面精準(zhǔn)調(diào)控+全流程AI算法優(yōu)化”實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制。包文中曾表示,二維半導(dǎo)體研發(fā)工藝參數(shù)的復(fù)雜性遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基工藝。二維半導(dǎo)體作為一種最薄的半導(dǎo)體形態(tài),必須采用更溫和、精細(xì)的工藝方法進(jìn)行“雕刻”,“如果把制造硅基芯片比作在石頭上雕刻,那么二維芯片就是在一塊豆腐上雕花。”

目前,原集微計(jì)劃利用工程化驗(yàn)證示范工藝線,圍繞二維半導(dǎo)體材料,重點(diǎn)突破大面積高質(zhì)量二維單晶晶圓的材料和工藝協(xié)同優(yōu)化,攻克二維半導(dǎo)體材料和硅基工藝的兼容性問(wèn)題,開(kāi)發(fā)二維集成電路關(guān)鍵核心工藝。“這么多年,我們都在研究器件工藝,而工藝研究在學(xué)術(shù)界的性?xún)r(jià)比較低,因?yàn)榘l(fā)不了太好的論文。但我們一直在啃硬骨頭,啃完以后把這些單步工藝全部聯(lián)立起來(lái),只有集成工藝優(yōu)化好了,良率提升了,才能做出真正的芯片。”包文中表示。

上海市科委有關(guān)部門(mén)負(fù)責(zé)人表示,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷重大變革之際,二維半導(dǎo)體作為后摩爾時(shí)代的關(guān)鍵材料,承載著突破芯片性能瓶頸、重塑產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的重要使命。為培育二維半導(dǎo)體未來(lái)產(chǎn)業(yè),市科委高度重視二維半導(dǎo)體前沿技術(shù)的前瞻性布局,近年來(lái)持續(xù)支持材料制備、器件工藝、集成技術(shù)等關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān),推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研深度融合。同時(shí)將積極搭建公共服務(wù)平臺(tái),為企業(yè)提供技術(shù)研發(fā)、中試驗(yàn)證、檢驗(yàn)認(rèn)證等一站式服務(wù)。建設(shè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)園區(qū),通過(guò)產(chǎn)業(yè)基金引導(dǎo)、稅收優(yōu)惠、土地保障等政策,吸引產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)集聚發(fā)展,打造專(zhuān)業(yè)化的二維半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚集地,形成協(xié)同創(chuàng)新的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

    責(zé)任編輯:宦艷紅
    圖片編輯:施佳慧
    校對(duì):丁曉
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