本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM) 和電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (ReRAM) 等新興存儲(chǔ)器不僅有望用于太空和國(guó)防等專(zhuān)業(yè)應(yīng)用，而且還有望用于汽車(chē)應(yīng)用。

(MRAM磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) 制造商 Everspin Technologies 最近宣布推出符合汽車(chē)可靠性標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q100 的新型 MRAM 產(chǎn)品。同時(shí)，Weebit Nano宣布其電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ReRAM）模塊已完成AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)150°C運(yùn)行評(píng)估。

AEC-Q100是由汽車(chē)電子委員會(huì)（AEC）制定的標(biāo)準(zhǔn)，定義了汽車(chē)電子產(chǎn)品的通用元器件資格認(rèn)證和質(zhì)量體系標(biāo)準(zhǔn)，其中包括一套針對(duì)集成電路的資格認(rèn)證測(cè)試序列。

Everspin 最新的高可靠性分立 MRAM 產(chǎn)品是該公司產(chǎn)品系列“PERSYST EMxxLX”的擴(kuò)展，包括“EM064LX HR”和“EM128LX HR”。該設(shè)備的工作溫度范圍為 -40°C 至 125°C，非常適合汽車(chē)應(yīng)用，同時(shí)也滿足了航空航天/國(guó)防和惡劣工業(yè)環(huán)境中對(duì)持久高速內(nèi)存日益增長(zhǎng)的需求。

NVIDIA 高級(jí)營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān) Joe O'Hare 在接受 EE Times 采訪時(shí)表示：“MRAM 的需求主要來(lái)自汽車(chē)應(yīng)用，汽車(chē)應(yīng)用需要能夠承受極端溫度的高可靠性內(nèi)存組件；而低地球軌道衛(wèi)星 (LEO) 的快速發(fā)展也需要能夠承受惡劣操作環(huán)境（包括耐輻射）的內(nèi)存。”

O'Hare 表示：“Everspin 的 PERSYST MRAM 憑借其卓越的耐用性和可靠性，在關(guān)鍵存儲(chǔ)應(yīng)用中擁有 20 年的良好使用記錄。它是同溫度范圍內(nèi)速度最快的 MRAM，其 64Mb/128Mb 的容量使其成為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)的理想選擇。我們生產(chǎn)符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存已有近 15 年，此次新增的 PERSYST MRAM 可提供我們所有產(chǎn)品中最高的密度。”

瞄準(zhǔn)汽車(chē)領(lǐng)域作為NOR Flash的替代品

O'Hare還解釋說(shuō)：“目前MRAM最有可能取代的存儲(chǔ)器是NOR閃存，而NOR閃存目前面臨著擴(kuò)展和密度方面的限制。MRAM的高寫(xiě)入速度降低了實(shí)時(shí)應(yīng)用的系統(tǒng)開(kāi)銷(xiāo)，而且其架構(gòu)更簡(jiǎn)單。”

“雖然 AEC-Q100 是一項(xiàng)汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)，但 Everspin 專(zhuān)注于太空探索應(yīng)用，正是我們?cè)谶@個(gè)領(lǐng)域的客戶推動(dòng)了我們最新 PERSYST MRAM 產(chǎn)品的規(guī)格。坦率地說(shuō)，我們?cè)谔疹I(lǐng)域的參與度比在汽車(chē)領(lǐng)域的更高。”O(jiān)'Hare 說(shuō)道。 “市場(chǎng)已經(jīng)過(guò)了頂峰，從產(chǎn)量的角度來(lái)看，現(xiàn)在已經(jīng)足夠大，具有商業(yè)可行性。此外，還有其他航空航天和軍事應(yīng)用，”他補(bǔ)充道。

同時(shí)，Weebit Nano 瞄準(zhǔn)汽車(chē)領(lǐng)域，推出嵌入式 ReRAM 作為 NOR Flash 的替代品。該公司最近對(duì)采用半導(dǎo)體制造商 SkyWater Technology 的 130nm CMOS 工藝的 ReRAM 模塊完成了 AEC-Q100 150°C 運(yùn)行評(píng)估。

Weebit Nano 營(yíng)銷(xiāo)和業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總裁 Eran Briman 在接受 EE Times 采訪時(shí)表示：“JEDEC 針對(duì)不同溫度/耐久性水平的非易失性存儲(chǔ)器制定了一套標(biāo)準(zhǔn)，但對(duì)于汽車(chē)而言，AEC-Q100 是黃金標(biāo)準(zhǔn)。” “Weebit Nano 為我們的 ReRAM 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)了‘任務(wù)配置文件’，可滿足所有汽車(chē)環(huán)境的需求。”

布里曼表示：“獲得 AEC-Q100 認(rèn)證的原因是，汽車(chē)制造商所需的工藝節(jié)點(diǎn)在 28 納米至 16 納米范圍內(nèi)的進(jìn)展速度比物聯(lián)網(wǎng)和其他連接設(shè)備快得多。”汽車(chē)微控制器的普及正在加速。28nm 以后，閃存將無(wú)可替代。

“雖然嵌入式非易失性存儲(chǔ)器可以滿足許多市場(chǎng)的需求，但汽車(chē)工藝節(jié)點(diǎn)的要求目前已經(jīng)非常明確，”Briman 補(bǔ)充道。 “符合汽車(chē)要求意味著非易失性存儲(chǔ)器也能滿足消費(fèi)者、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的需求。”

“汽車(chē) ReRAM 的機(jī)遇在于軟件定義的汽車(chē)，這些汽車(chē)需要定期進(jìn)行無(wú)線 (OTA) 更新——就像擁有強(qiáng)大處理能力的‘車(chē)輪上的電腦’。這些定期更新需要具有更高耐用性的非易失性存儲(chǔ)器，”Briman 說(shuō)道。

MRAM 供應(yīng)商很少

Objective Analysis 首席分析師 Jim Handy 在接受 EE Times 采訪時(shí)表示：“可靠性對(duì)我們的汽車(chē)存儲(chǔ)器客戶來(lái)說(shuō)非常重要。” “但這引出了一個(gè)問(wèn)題：對(duì)他們來(lái)說(shuō)，可靠性比低價(jià)更重要嗎？”

Handy 表示：“在許多情況下，從價(jià)格角度來(lái)看，NAND 閃存仍然是最佳選擇，但如果 MRAM 可以從多個(gè)來(lái)源獲得，則可以成為 NOR 閃存的替代品。” “在這種情況下，MRAM 進(jìn)入市場(chǎng)的挑戰(zhàn)在于，目前 MRAM 的來(lái)源非常少。”

對(duì)于空間應(yīng)用，不僅 MRAM 的可靠性很重要，而且其抗輻射性也很重要。另一方面，ReRAM 具有更高的可靠性，并且能夠更好地承受極端溫度。

Handy 強(qiáng)調(diào)說(shuō)：“汽車(chē)內(nèi)存的機(jī)會(huì)來(lái)自汽車(chē)上安裝的微控制器的絕對(duì)數(shù)量。” “讓這些微控制器不易受到溫度的影響將是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。”

Handy 表示，新興存儲(chǔ)器面臨的挑戰(zhàn)是成本。盡管從技術(shù)上講它優(yōu)于現(xiàn)有的內(nèi)存，但現(xiàn)有產(chǎn)品的價(jià)格更便宜。 “任何新興存儲(chǔ)技術(shù)面臨的最大挑戰(zhàn)是其成本是否至少能與競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)匹敵。”

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