本文由半導體產業縱橫（ID：ICVIEWS）綜合

三星西安工廠將升級286層NAND閃存工藝。

三星電子正在將其中國西安工廠升級為286層（V9）NAND 閃存工藝，以應對當前的市場低迷并抵御來自中國半導體公司日益激烈的競爭。

自2023年以來，三星一直在推動將其西安工廠的主流128層（V6）NAND工藝過渡到236層（V8）生產線。然而，該公司決定更進一步，安裝一條V9生產線。三星計劃在今年上半年引進該工藝所需的新設備，并計劃在下半年建立一條每月產能為2000~5000片晶圓的生產線。此次轉型是三星保持技術領先地位和確保長期產品競爭力的更廣泛戰略的一部分。

2022年11月，三星電子宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子當時沒有公開芯片的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。

三星電子閃存產品與技術執行副總裁 SungHoi Hur 表示：“由于市場對更密集、更大容量存儲的需求推動了更高的 V-NAND 層數，三星采用了先進的 3D 壓縮技術，以減少表面積和高度，同時避免通常在壓縮時出現的單元間干擾。”“我們第 8 代 V-NAND 將有助于滿足快速增長的市場需求，并使我們更好地提供更多差異化的產品和解決方案，這將是未來存儲創新的基礎。”

西安工廠是三星唯一的海外存儲生產基地，對該公司的全球供應鏈至關重要，約占其NAND總產量的40%。

美國在2023年授予三星“經過驗證的最終用戶（VEU）”許可，這一決定至關重要。這一許可使三星能夠在中國生產超過200層的NAND，使三星能夠在地緣政治緊張的情況下繼續在中國使用先進的制造工藝。

業內人士表示：“在韓國國內擴展先進NAND工藝的同時，該公司也在升級其在中國的NAND工藝。”這種雙重方法凸顯了三星致力于保持國內外競爭優勢的決心。該公司還自2024年下半年開始致力于將400層（V10）NAND應用于平澤P1工廠的量產線，并可能在今年下半年實現初步量產。

三星電子表示，“我們計劃加速向236層和286層NAND的過渡，以確保長期的產品競爭力。”

盡管取得了這些進步，但三星預計今年第一季度每月將生產42萬個NAND單元，比上一季度減少25%。這一減少反映了當前移動和PC市場需求的低迷，受到價格上漲和利率上漲等經濟因素的影響。然而，人工智能（AI）數據中心等行業的需求不斷增長，這促使三星等公司專注于高性能、高容量的NAND生產。

值得注意的是，去年11月，三星電子正在計劃銷售各條前端和后端工藝生產線的舊設備，其中包括其位于中國西安的NAND閃存工廠。預計因美國政府壓力堆積起來而無法及時出售的設備很快將通過第三方等方式出售。

業內人士透露，三星電子最近在半導體部門（DS）實施大規模成本削減和產線調整，并正在考慮出售其中國半導體生產線的舊設備。與多家公司的討論已經開始，預計出售過程將于2025年正式開始。銷售的設備大部分是100層3D NAND設備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉換為200層工藝。

每年在設備上投資數十萬億韓元的三星電子已用尖端設備更換了半導體生產線，并將舊設備出售給外部公司。特別是，在將傳統（成熟工藝）轉換為先進工藝的過程中，此類設備的銷售至關重要。與此同時，三星電子的舊工藝設備流入二手半導體設備市場進行回收。

問題在于，三星電子尚未出售不受美國制裁的設備。盡管三星電子避免對此做出官方解釋，但業界的解釋是，管理層采取盡可能謹慎的措施，以從美國政府獲得VEU（驗證最終用戶）身份。

全球芯片代工市場競爭激烈，臺積電占據領先地位，而三星則面臨來自中國大陸廠商的競爭壓力。隨著中國大陸廠商產能的提升和技術突破，越來越多的中國客戶選擇將訂單轉向本土晶圓廠。三星在中國西安的芯片廠可能受到這一市場變化的影響，訂單量減少，導致產線利用率下降。為了優化資源配置，三星選擇出售部分舊設備和產線。與此同時，轉向更先進的半導體產品制造。

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